簡述進(jìn)口稱重傳感器有關(guān)資料
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進(jìn)口稱重傳感器光電池是利用光生伏應(yīng)把光能直接轉(zhuǎn)變成電能的器件,Mettler Toledo稱重傳感器在有光照情況下就是一個電源。傳感器由于它廣泛應(yīng)用于把太陽能直接變?yōu)殡娔?,因此又稱為太陽能電池。進(jìn)口稱重傳感器光電池的種類很多,NMB稱重傳感器以其半導(dǎo)體材料加以區(qū)別,如硒光電池、鍺光電池、硅光電池、氧化亞銅光電池、砷化稼光電池、磷化稼光電池等。進(jìn)口稱重傳感器其中應(yīng)用zui廣zui受重視的是硅光電池,因為它具有穩(wěn)定性好、光譜響應(yīng)范圍寬、頻率特性好,換能效率高、耐高溫輻射和價格便宜等一系列優(yōu)點。HBM稱重傳感器砷化稼光電池的理論換能效率比硅光電池稍 高一點,光譜響應(yīng)特性則與太陽光譜zui吻合,而且,工作溫度zui高,更耐受宇宙射線 的輻射,因此,進(jìn)口稱重傳感器它在宇航電源方面的應(yīng)用是zui有發(fā)展前途的。
進(jìn)口稱重傳感器光電池的結(jié)構(gòu)和工作原理常用硅光電池的結(jié)構(gòu),AMCELLS稱重傳感器制造方法是:在電阻率約為0.1一1Cm的N型硅片上,擴散硼形成P型透光層;然后,進(jìn)口稱重傳感器分別用電極引線把P型和N型層引出,形成正、負(fù)電極。如果在兩電極間接上負(fù)載電阻,進(jìn)口稱重傳感器則受光照時就會有電流流過。進(jìn)口稱重傳感器為了提率,防止表面反射光,Celtron稱重傳感器在器件的受光面上要進(jìn)行氧化,以形成保護(hù)膜,此外,向P型硅片擴散N型雜質(zhì),也可制成硅光電池。
進(jìn)口稱重傳感器光電池是一種直接將光能轉(zhuǎn)換為電能的光電器件,它是一個大面積的PN結(jié)。當(dāng)光照射到PN結(jié)上時,ZEMIC稱重傳感器便在PN結(jié)的兩端產(chǎn)生電動勢(P區(qū)為正,N區(qū)為負(fù))。如果在PN結(jié)兩端電極間接上內(nèi)阻足夠高的電壓表,就可發(fā)現(xiàn)P區(qū)端和N區(qū)端之間存在著電勢差。如果將電流表接在兩電極間,
進(jìn)口稱重傳感器電流表中就有電流流過。為什么PN結(jié)會產(chǎn)生光生伏應(yīng)呢?
我們知道,RICE LAKE稱重傳感器當(dāng)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體結(jié)合在一起構(gòu)成一塊晶體時,進(jìn)口稱重傳感器由于熱運動,N區(qū)中的電子就向P區(qū)擴散,而P區(qū)中的空穴則向N區(qū)擴散,結(jié)果在P區(qū)靠近交界處聚集較多的電子,而在N區(qū)的交 界處聚集較多的空穴,于是在過渡區(qū)形成一個電場。進(jìn)口稱重傳感器電場的方向是由N區(qū)指向P 區(qū),這個電場阻止電子進(jìn)一步由N區(qū)向P區(qū)擴散和空穴進(jìn)一步由P區(qū)向N區(qū)擴散,但是卻能推動N區(qū)中的空穴(少數(shù)載流子)和P區(qū)中的電子(也是少數(shù)載流子) 分別向?qū)Ψ竭\動。當(dāng)光照到.PN結(jié)上時,如果光子能量足夠大,進(jìn)口稱重傳感器就將在PN結(jié)區(qū)附近激發(fā)電子一空穴對,在PN結(jié)電場作用下,N區(qū)的光生空穴被拉向P區(qū),P區(qū)的光生電子被拉向N區(qū),結(jié)果就在N區(qū)聚集了負(fù)電荷,帶負(fù)電;P區(qū)聚集了空穴,帶正電。這樣,進(jìn)口稱重傳感器N區(qū)和P區(qū)之間就出現(xiàn)了電位差。用導(dǎo)體將PN結(jié)兩端連接起來,電路中就有電流流過,TRANSCELL稱重傳感器電流的方向由P區(qū)流經(jīng)外電路至N區(qū);若將電路斷開,進(jìn)口稱重傳感器就可測出光生電動勢。
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